Electrical and optical properties of carbon doped cubic GaN epilayers grown under extreme Ga excess
D. J. As, David Gregorio Pacheco Salazar, S. Potthast, K. Lischka
Resultado de la investigación: Contribución a una revista › Artículo de la conferencia › revisión exhaustiva
1Cita
(Scopus)
Huella
Profundice en los temas de investigación de 'Electrical and optical properties of carbon doped cubic GaN epilayers grown under extreme Ga excess'. En conjunto forman una huella única.