Electrical and optical properties of carbon doped cubic GaN epilayers grown under extreme Ga excess

D. J. As, David Gregorio Pacheco Salazar, S. Potthast, K. Lischka

Resultado de la investigación: Contribución a una revistaArtículo de la conferenciarevisión exhaustiva

1 Cita (Scopus)

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Electrical and optical properties of carbon doped cubic GaN epilayers grown under extreme Ga excess'. En conjunto forman una huella única.

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